FMUSER 1 pieza Jatorrizko MRF317 RF TRANSISTOREA, BANDA BANDA RF POWER TRANSISTOR-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop hornitzailea

FMUSER 1 pieza Jatorrizko MRF317 RF TRANSISTOREA berria, BANDA BANDA RF POTENTZIA TRANSISTOREA Deskribapena: batez ere banda zabaleko seinale handiko irteera anplifikadoreetarako diseinatua 30 MHz maiztasun barrutian. Bermatutako errendimendua 200 MHz-tan, 150 Vdc-ko irteerako potentzia 28 W Gutxieneko irabazia = 100 dB Sare bateratuko banda zabaleko funtzionamendurako sarean% 9.0 Kargaren bat ez etortzeko probatuta Fase angelu guztietan 100: 30 VSWR Urrezko metalizazio sistema fidagarritasun handiko Irteerako saturazio potentzia egokia Carrier / 1 W Peak AM anplifikadorearen zerbitzua Bermatutako errendimendua banda zabaleko probako gailuetan GEHIENEKO BALORAZIOAK Balorazio Kolektorea Emisorearen tentsio biltzailea Oinarrizko tentsio emisorea Oinarrizko tentsio biltzailearen korrontea Kolektorearen etengabeko korrontearen gailurra (120 segundo

xehetasuna

aurreko:FMUSER 1 pieza Jatorrizko MRF6VP3450H alboko N kanaleko banda zabaleko RF potentzia MOSFET transistorea

Hurrengoa:FMUSER 1 pieza Jatorrizko RD70HVF1 RF TRANSISTOREA berria

Prezioa (USD)	Kopurua (PCS)	Shipping (USD)	Guztira (USD)	Bidalketa metodoa	Ordainketa
59	1	0	59	airmail bidalketa
				airmail bidalketa

FMUSER 1 pieza Jatorrizko MRF317 RF TRANSISTOREA berria, banda zabaleko RF POTENTZIA TRANSISTOREA

Description:
Banda zabaleko seinale handiko irteera anplifikadoreetarako diseinatuta dago batez ere 30 MHz maiztasun barrutian. Bermatutako errendimendua 200 MHz-tan, 150 Vdc-ko irteerako potentzia 28 W Gutxieneko irabazia = 100 dB Sare bateratuko banda zabaleko funtzionamendurako sarean% 9.0 Kargaren bat ez etortzeko probatuta Fase angelu guztietan 100: 30 VSWR Urrezko metalizazio sistema fidagarritasun handiko Irteerako saturazio potentzia egokia Carrier / 1 W Peak AM anplifikadorearen zerbitzurako banda bermatuko errendimendua bermatuta Banda zabaleko probetarako gailuetan GEHIENEKO BALORAZIOAK
Balorazio Kolektorea Emisorearen tentsio biltzailea Oinarrizko tentsio igorleaBase tentsioaren kolektore korrontea Etengabeko biltzaile korrontearen gailurra (10 segundo) Gailuaren disipazio totala 25 ° C (1) 25 ° C-tik beherako biltegiratzea Biltegiratzeko tenperatura tartea Sinboloa VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg Balioa +150 unitate Vdc Adc Watt W / ° C ° C
Erresistentzia termiko karakteristikoa, kasu-ikurrarekin lotura RJC Max 0.65 unitate ° C / W

Ezaugarriak:
●Produktuen atributua Aitortu balioa Bilatu antzekoa
●Fabrikantea: FMUSER
●Produktuen Kategoria: RF transistore bipolarrak
● Marka: FMUSER
●Produktu-mota: RF transistore bipolarrak

●azpikategoria: Transistoreak

Ezaugarriak:
●EZAUGARRI ELEKTRIKOAK: (TC = 25 ° C kontrakoa adierazi ezean).
●CommonEmitter anplifikadorearen potentzia irabazia: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc)
●Kolektorearen eraginkortasuna: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Kargaren ez datoz bat (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 fase angelu guztiak)
●GPE ez da degradazio irteerako potentzian% dB